IPP80N06S2L11 datasheet
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>> IPP80N06S2L11 MOSFET MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
IPP80N06S2L11
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET MOSFET
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET MOSFET
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
55 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
80 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
11 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262
封装
Tube
相关资料
属性
链接
代理商
IPP80N06S2L11
IPP80N06S2L-11
IPP80N06S2L11AKSA2
IPP80N06S2LH5
IPP80N06S2L-H5
IPP80N06S2LH5AKSA2
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0755-83208010
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上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳市华盛锦科技有限公司
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张先生/雷小姐
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
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0755-83259964
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IPP80N06S2L11 参考价格
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